??CMP設備是對硅片進行拋光的設備。 CMP 代表化學機械拋光。半導體的制造規模非常小，因此需要均勻且高精度的拋光，并且它們由許多不同硬度的層組成，每層都需要使用適當的壓力、拋光劑

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CMP設備的應用

CMP設備主要用于半導體制造工藝。它用于半導體工藝中，以平整因蝕刻、氧化膜生成、離子擴散等引起的表面不平整。 CMP 提供非常精確的平坦化，并有利于在平坦化表面上進一步分層。選擇CMP設備時，需要考慮平坦化的精度、所使用的化學品和化學品以及硅片的加工速度。

CMP設備原理

我們將解釋CMP設備的工作原理。 CMP設備通常一次高速加工許多硅片，因此通常是大型設備。其組成部分包括旋轉臺、帶有用于涂抹化學品和化學藥品的噴嘴的拋光部分、以及帶有砂紙的拋光部分等。此外，還有用于傳送硅片的機器人、拋光后的清潔部分和檢測部分。等都包括在內。

基本操作是從噴嘴將化學溶液或化學品噴射到硅片上，將砂紙等壓在硅片上，并通過高速旋轉旋轉臺進行拋光。化學拋光目標包括氧化膜、鎢布線和銅布線。在氧化膜的情況下，將氧化膜溶解在堿性溶液中并用相同組成的氧化硅進行拋光。對于鎢布線來說，鎢表面經過氧化，表面用氧化硅拋光。對于銅布線，將銅氧化后，制成復合體，并用氧化硅進行拋光。